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化学工学会 第49回秋季大会

Last modified: 2017-09-06 10:00:00

講演プログラム（会場・日程別） : BD会場・第2日

講演要旨は各講演番号からリンクしています。(要ID/PW)詳細

BD 会場(2号館南 3F 232) ・ 第 2 日(9月21日(木))

ST-26

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
ST-26 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス ―デバイス構造・機能制御の反応工学―
(9:00～10:00) (座長 森 伸介)
9:00～ 9:20BD201[招待講演] 超臨界水熱合成への反応工学的アプローチ
(名大院工) (正)高見 誠一
supercritical hydrothermal synthesis
metal oxide nanoparticles
reaction engineering
ST-26813
9:20～ 9:40BD202Porous carbon electrode fabricated from supercritical drying for Li-O2/CO2 battery
(東工大物質理工) ○(学)Kunanusont Nattanai・ (正)下山 裕介
supercritical drying
porous carbon electrode
Li-O2/CO2 battery
ST-26666
9:40～ 10:00BD203SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデルの検討
(東大院工) ○(学)中 智明・ (学)佐藤 登・ (正)嶋 紘平・ (学)舩門 佑一・ (IHI) (法)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVI
SiC
process
ST-26810
(10:00～11:00) (座長 池田 圭)
10:00～ 10:20BD204SiC-CVD総括反応モデルの構築と検証
(東大院工) ○(学)舩門 佑一・ (学)佐藤 登・ (正)嶋 紘平・ (学)中 智明・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
modeling
ST-26923
10:20～ 10:40BD205CVDトレンチ埋込プロセスのマルチスケール解析とシミュレーション
(東大院工) ○(学)舩門 佑一・ (学)佐藤 登・ (正)嶋 紘平・ (学)中 智明・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
trench
Multiscale
ST-26942
10:40～ 11:00BD206[招待講演] ガス成長法による4H-SiCバルク単結晶成長の開発
(デンソー) ○(法)牧野 英美・ (法)徳田 雄一郎・ (法)神田 貴裕・ (法)杉山 尚宏・ (法)久野 裕也・ (電中研) 星乃 紀博・ 鎌田 功穂・ 土田 秀一・ (デンソー) (法)小島 淳
4H-SiC
gas-source method
fast growth
ST-26806
(11:00～12:00) (座長 野田 優)
11:00～ 11:20BD207熱CVD法により合成したTi1-xAlxN膜の結晶構造の原料ガス分圧依存性
(東大工) ○(学)佐藤 宏樹・ 平原 智子・ (京セラ) (法)久保 隼人・ (東大工) (正)百瀬 健・ (京セラ) (法)谷渕 栄仁・ (東大工) (正)霜垣 幸浩
CVD
TiAlN
cutting tool
ST-26367
11:20～ 11:40BD208不活性表面でのベンゼンからの炭素CVD速度の解析
(京大院工) ○(学)上村 修平・ (京大工) (正)河瀬 元明
CVD
Carbon
Benzene
ST-26609
11:40～ 12:00BD209塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDにおける添加ガスによる副生成物の低減
(東大院工) ○(学)佐藤 登・ (IHI) (法)福島 康之・ (東大院工) (学)舩門 佑一・ (正)嶋 紘平・ (正)百瀬 健・ (学位授与機構) 越 光男・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
silicon chlorine compounds
by-product
elementary reaction simulation
ST-26729
(13:00～14:40) (座長 西田 哲)
13:00～ 13:40BD213[展望講演] 次世代高効率シリコン太陽電池用薄膜技術の展望
(豊田工大) ○大下 祥雄・ (明治大) 中村 京太郎・ (豊田工大) Lee Hyunju・ 神岡 武文
Solar cells
passivation
CVD
ST-26800
13:40～ 14:00BD215[招待講演] 高密度・基材包囲プラズマと基材へのガス吹付による超高速DLC成膜
(岐阜大工) 上坂 裕之
Diamond-Like Carbon
Microwave
Plasma CVD
ST-26187
14:00～ 14:20BD216WC-Coの表面改質によるTiC系硬質膜の密着性改善
(阪府大院工) ○(学)田中 千尋・ (阪府大工) (学)清川 大地・ (阪府大院工) (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (阪大産研) 樋口 宏二・ 北島 彰
adhesion strength
hard coating
cemented carbide
ST-26711
14:20～ 14:40BD217噴霧法による多孔性配位高分子HKUST-1薄膜の形成メカニズム
(広大院工) ○(正)久保 優・ (学)菅原 拓哉・ (正)島田 学
Porous materials
Crystal growth
Carbon nanotube composite
ST-26658

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化学工学会 第49回秋季大会

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