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化学工学会 第49回秋季大会

Last modified: 2017-09-06 10:00:00

講演プログラム（会場・日程別） : BD会場・第1日

講演要旨は各講演番号からリンクしています。(要ID/PW)詳細

BD 会場(2号館南 3F 232) ・ 第 1 日(9月20日(水))

ST-26

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
ST-26 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス ―デバイス構造・機能制御の反応工学―
(13:00～14:20) (座長 川上 雅人)
13:00～ 13:40BD113[展望講演] 最先端プラズマ科学に基づいたプロセス制御と未来産業への展望
(名大工) ○堀 勝・ 石川 健治・ 関根 誠
Plasma
Deposition
Etching
ST-26770
13:40～ 14:00BD115シリカプラズマCVDにおける気相種の質量分析
(京大工) ○(学)田中 茉莉亜・ (正)河瀬 元明
plasma CVD
silica
mass spectrometry
ST-26618
14:00～ 14:20BD116ECR放電を用いたプラズマCVD法によるカーボンナノウォールの合成と並列化手法の検討
(東工大物質理工) ○(学)鈴木 諒・ (正)森 伸介
carbon nanowalls
plasma enhanced CVD
ST-26875
(14:20～15:20) (座長 下山 裕介)
14:20～ 14:40BD117単層カーボンナノチューブの火炎合成:反応場・流れ場・触媒供給制御による高品質化
(早大先進理工) ○(学)岡田 翔平・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (富士フイルム) (法)杉浦 寛記・ (法)片岡 祥平・ (法)五十嵐 達也・ (早大先進理工) (正)野田 優
single-wall carbon nanotubes
flame synthesis
reaction field control
ST-2661
14:40～ 15:00BD118CVD法を用いたカーボンナノチューブ合成に対する硫黄の影響
(東工大院理工) ○(学)鈴木 俊介・ (東工大物質理工) (正)森 伸介
carbon nanotube
sulfur
chemical vapor deposition
ST-2662
15:00～ 15:20BD119導電性基板上での高密度カーボンナノチューブフォレストの低温成長技術の開発
(早大高等研) (正)杉目 恒志
chemical vapor deposition
low temperature growth
lithography
ST-261003
(15:20～16:40) (座長 百瀬 健)
15:20～ 15:40BD120塩化物介在CVD法による多層CNT成長における一酸化炭素添加効果
(静大院工) ○(学)小松原 孝太・ 山梨 博美・ 苅田 基志・ 中野 貴之・ 井上 翼・ (JNC) (法)長岡 宏一
carbon nanotube
carbon monoxide
chemical vapor deposition
ST-26769
15:40～ 16:00BD121コンビナトリアル手法による二元系触媒の最適化と カーボンナノチューブのカイラリティ選択的合成
(早大先進理工) ○(学)江戸 倫子・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)野田 優
chemical vapor deposition
carbon nanotubes
chirality control
ST-26883
16:00～ 16:20BD122浮遊コーティングプロセスでMWCNT上に形成したTiO2層の形態に及ぼす反応条件の影響
(広大院工) ○(学·技基)福本 善彦・ (正)久保 優・ (広大院工/ITS Surabaya) (正)Kusdianto K・ (広大院工) (正)島田 学
Nanocomposite
Plasma-enhanced chemical vapor deposition
Aerosolization
ST-26681
16:20～ 16:40BD123[招待講演] 化学気相浸透法による複合材料製造の数値シミュレーション
(名大院工) (正)則永 行庸
chemical vapor infiltration
composite materials
numerical simulation
ST-26805

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化学工学会 第49回秋季大会

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