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化学工学会 第39回秋季大会

講演プログラム（会場・日程別）

L会場

最終更新日時：2007-07-24 09:36:53

第1日
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
シンポジウム ＜反応工学の新しい展開＞
(9:00〜10:00)　(座長 山下健一)
9:00〜 9:20L101マイクロリアクター内の物質移動観測技術に関する研究
(関西大) ○(学)乃村 誓・(正)岡田 芳樹		Microreactor
Raman microscopic spectrometer
Mass transport
S-34665
9:20〜 9:40L102矩形マイクロチャネル内における層流流体の温度分布と昇温過程
(産総研) ○(正)山口 佳子・(正)中村 浩之・(正)古屋 武・前田 英明		microchannel
temperature distribution
computational fluid dynamics
S-34581
9:40〜 10:00L103マイクロ流路を利用したイオン濃縮回収における流路形状と濃縮度の関係
(徳島大院先端教育部) ○(学)高木 要・(徳島大工) 山口 進太郎・(徳島大STS研) (正)外輪 健一郎・(正)杉山 茂・(正)中川 敬三		microchannel
electrophoresis
ion enrichment
S-34441
(10:00〜11:00)　(座長 片岡 祥)
10:00〜 10:20L104マイクロ流体中におけるDNAの2本鎖形成の熱力学的性質
(産総研ナノテクノロジー研究部門) ○(正)山下 健一・(正)宮崎 真佐也・(正)山口 佳子・(正)中村 浩之・(正)前田 英明		laminar flow
microchannel
conformational entropy
S-34547
10:20〜 10:40L105マイクロ流路を利用した多段蒸留の検討
(徳島大院先端教育部) ○(学)福森 孝典・(徳島大工) 友成 喜代美・(徳島大STS研) (正)外輪 健一郎・(正)杉山 茂・(正)中川 敬三		microchannel
distillation
phase separation
S-34764
10:40〜 11:00L106マイクロミキサーを用いた乳化プロセスの設計
(花王) ○(正)松山 一雄・(正)峯 浩二・(正)久保 英明・(京大工) (正)前 一廣		emulsification
micromixer
convection mixing
S-34580
(11:00〜12:00)　(座長 松山一雄)
11:00〜 11:20L107マイクロリアクタを用いた銅ナノコロイドの調製
(山形大工) ○(学)尾形 敬太・(正)宍戸 昌広・(正)大竹 哲也		microreactor
copper nanoparticle
stability of colloid
S-34356
11:20〜 11:40L108マイクロ空間を用いたリチウムマンガンスピネルナノ粒子の合成
(東工大) ○(正)谷口 泉・(正)矢野 太朗		microspace
spray pyrolysis
lithium manganese spinel
S-34548
11:40〜 12:00L109マイクロ流路内の液滴を利用した高分子重合と高分子微粒子製造法の検討
(京大院工) (正)牧 泰輔・○(学)林 達也・(学)中西 文人・(正)大久保 尚人・(正)前 一廣		マイクロ反応工学
重合反応
高分子粒子
S-3473
(13:00〜13:40)　(座長 谷口 泉)
13:00〜 13:20L113マイクロチャンネルを用いた電子ペーパー用単分散2色粒子の開発
(綜研化学) ○滝沢 容一・(正)高橋 孝徳・(東工大) (正)西迫 貴志・(東大院) (正)鳥居 徹		microchannel
electronics paper
particles
S-34145
13:20〜 13:40L114メソ多孔体を担持したマイクロリアクターの作製と反応特性
(産総研) ○(正)片岡 祥・(正)遠藤 明・原田 敦弘・稲木 由紀・(正)山本 拓司・(正)中岩 勝・(正)大森 隆夫		microreactor
mesoporous
catalytic reaction
S-34954
(13:40〜14:20)　(座長 牧 泰輔)
13:40〜 14:00L115マイクロリアクタを利用したアジン合成法の検討
(徳島大院先端教育部) ○(学)畑野 修一・西村 朋晃・(徳島大工) 笹山 夏菜・(徳島大STS研) (正)外輪 健一郎・(大塚化学) 谷口 正俊・森 浩司・(徳島大STS研) (正)杉山 茂・(正)中川 敬三		microchannel
azine
synthesis
S-34776
14:00〜 14:20L116マイクロチューブリアクターによる過酸化水素の合成
(福女大人間環境) ○(正)草壁 克己・前原 賞子・官 国清・(正)種田 将嗣		Hydrogen peroxide
Electrolysis
Catalytic reaction
S-34267
(14:20〜15:20)　(座長 草壁克己)
14:20〜 14:40L117マイクロ流路における無次元数を用いた反応収率評価
(日立・電開研) ○(正)白石 朋史・(正)近藤 健之・(正)河村 勉・(日立プラントテクノロジー) 小田 将史		microreactor
consecutive reaction
mixing-reaction number
S-34907
14:40〜 15:00L118乱流拡散を用いたマイクロリアクタにおける反応収率評価
(日立・電開研) ○(正)近藤 健之・(正)白石 朋史・(正)河村 勉・(日立プラントテクノロジー) (正)小田 将史		microreactor
dimensionless number
turbulent diffusion
S-34912
15:00〜 15:20L119多段迅速操作に対応した機能アセンブル型マイクロリアクターの開発
(京大工) ○(学)伊東 千春・北島 亮平・(正)青木 宣明・(正)前 一廣		unit assemble
microreactor
multistage rapid operation
S-3412
(15:20〜16:20)　(座長 松岡辰郎)
15:20〜 15:40L120C12A7から放出される酸素負イオンに由来する活性化学種の生成過程
(東大院工) ○(正)山本 光夫・(工学院大工) (正)定方 正毅		C12A7
oxygen anion
radical species
S-34752
15:40〜 16:00L121大気圧におけるC12A7由来気相活性酸素種の輸送性と酸化反応促進への利用
(産総研) ○(正)西岡 将輝・(東北学院大) 長田 伸哉・(産総研) 葛西 真琴		C12A7
active oxygen species
silicon oxydation
S-34685
16:00〜 16:20L122マイクロバルブによるスラグ流の発生と抽出プロセスへの適用
(岡山大院) ○(正)武藤 明徳・(岡山大工) 武川 裕美・(岡山大院) 中平 卓臣・鈴森 康一・神田 岳文・(協和ファインテック) 門脇 信傑		slug flow
micro valve
extraction
S-34324
(16:20〜17:20)　(座長 尾上 薫)
16:20〜 16:40L123超音波照射下におけるラジカル生成量の電子スピン共鳴装置を用いた評価
(東北大工) ○(学)関口 和宏・(正)久保 正樹・(正)米本 年邦		ultrasound irradiation
hydroxyl radical
Electron Spin Resonance
S-34352
16:40〜 17:00L124有機溶媒系におけるソノリアクターの性能評価の検討
(名大院工) ○(学)福冨 聡・(本多電子) (部)朝倉 義幸・(名城大農) (部)前林 正弘・(名大院工) (部)松岡 辰郎・(部)香田 忍		onochemical reactor
cavitation
organic solvent
S-34224
17:00〜 17:20L125セルロースの有効利用のためのソノプロセス
(名大院工) ○(学)渡辺 真也・(正)二井 晋・(学)高安 美也子・(正)松岡 辰郎・(正)香田 忍		cellulose
ultrasonic
separation
S-34561
(17:20〜18:00)　(座長 西岡将輝)
17:20〜 17:40L126酸素プラズマと炭化水素分子との接触反応
(千葉工大工) ○(学)福岡 大輔・(正)長添 寛・(正)小林 基樹・(正)尾上 薫		microwave
plasma
oxidation
S-34501
17:40〜 18:00L127気液放電によるフェノール分解
(法政大) ○(学)本田 文敬・(正)西海 英雄		phenol
discharge
water
S-34762

第2日
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
シンポジウム ＜CVD・ドライプロセス＞
(9:00〜10:00)　(座長 野田 優)
9:00〜 9:20L201LPI法を用いたBTXからのカーボンナノファイバーの高効率製造
(京大院工) ○(学)久松 治・板倉 啓・(正)田門 肇・(北大工) (正)向井 紳		Carbon nanofibers
Liquid pulse injection technique
BTX
S-35495
9:20〜 9:40L202詳細な化学反応スキームとCFDとのカップリングによる熱分解炭素CVDの数値シミュレーション
(北大エネセン) ○(学)三枝 直路・(正)則永 行庸・(正)林 潤一郎		CVD
CFD
carbon
S-35995
9:40〜 10:00L203熱分解炭素CVDにおける反応器内半径方向ガス組成分布の赤外分光分析
(京大工) ○(正)河瀬 元明・(学)山本 剛紀・(正)三浦 孝一		pyrocarbon
CVD
infrared absorption
S-35445
(10:00〜11:00)　(座長 河瀬元明)
10:00〜 10:20L204目的に応じた単層カーボンナノチューブの合成
(東大院工) ○(正)野田 優・(学)長谷川 馨・(学)杉目 恒志・(学)筧 和憲・丸山 茂夫・(正)山口 由岐夫		single-walled carbon nanotubes
customized synthesis
combinatorial method
S-35588
10:20〜 10:40L205単層カーボンナノチューブ垂直配向成長と触媒ナノ粒子の粗大化・失活
(東大院工) ○(学)諸隈 慎吾・(学)長谷川 馨・(正)野田 優・丸山 茂夫・(正)山口 由岐夫		single-walled carbon nanotubes
rapid growth
catalyst deactivation
S-35598
10:40〜 11:00L206大気圧プラズマによるダメージフリーCVDの構築と垂直配向単層カーボンナノチューブ合成への展開
(東工大院) ○(正)野崎 智洋・(東工大) 大西 空摩・(東工大院) (正)岡崎 健		Atmospheric pressure non-thermal plasma
Single-walled carbon nanotubes
Ion damage
S-3523
(11:00〜12:00)　(座長 野崎智洋)
11:00〜 11:20L207非平衡COプラズマを用いたダイヤモンド薄膜の低温合成
(東工大院理工) ○(正)森 伸介・(東工大) 服部 裕任・(東工大院理工) (正)鈴木 正昭		plasma CVD
diamond thin film
low temperature synthesis
S-35174
11:20〜 11:40L208プラズマエッチングにおけるイオンエネルギー分布解析
(東芝研究開発センター) ○(正)宇井 明生		Plasma Etching
Ion Energy Distribution
Reactive Ion Etching
S-35511
11:40〜 12:00L209試験構造基板を利用したC5F8/O2/Arプラズマ反応のメカニズム解析
(東大院工) ○(学)関 淳志・(正)霜垣 幸浩		plasma CVD
Dry Etching
Reaction Kinetics
S-35453
(13:00〜14:20)　(座長 杉山正和)
13:00〜 13:40L213[展望講演] 近接場光を用いたCVDによるナノ加工とその応用
(東大工) ○川添 忠		Optical Near-Fields
Photo-CVD
Photochemical Reaction
S-35178
13:40〜 14:00L215アルゴン-水素アークによるSn-Ag合金からの選択的蒸発促進機構の検討
(東工大総理工) ○(学)田中 学・(正)渡辺 隆行		DC arc
Vaporization Enhancement
Sn-Ag alloy
S-35624
14:00〜 14:20L216スキャニングアニールによるナノ粒子FeSi2／Si複合薄膜の作製とそのナノ構造
(東工大炭エネ研) ○(学)寺澤 真輔・(学)井上 建・(東工大分析支援セ) 源関 聡・(東工大炭エネ研) (正)伊原 学		Iron Silicide
Zone Melting Crystallization
Nano-particle
S-35987
(14:20〜15:20)　(座長 霜垣幸浩)
14:20〜 14:40L217薄膜ZMC法によるFeSi2薄膜の作製と温度による結晶相の制御
(東工大炭エネ研) ○(学)井上 建・(学)寺澤 真輔・(正)伊原 学		solar cell
Iron silicide
crystallization
S-35991
14:40〜 15:00L218W/Oエマルジョンの燃料過濃燃焼によるNi超微粒子の製造
(名大工) ○(学)川越 真吾・(環境研) (正)小林 潤・(名大工) (正)小林 信介・(正)羽多野 重信・(正)板谷 義紀・(所属なし) (正)森 滋勝		nano particle
W/O emulsion
combustion
S-35653
15:00〜 15:20L219固体間発熱現象を利用したTiO2ナノ粒子のフラッシュ合成
(北大) ○(学)北村 泰昭・沖中 憲之・(正)秋山 友宏		nanofabrication
solid state reaction
oxide materials
S-35781

第3日
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
シンポジウム ＜CVD・ドライプロセス＞
(9:00〜10:00)　(座長 玉置直樹)
9:00〜 9:20L301シリコン表面における有機物分子吸着脱離挙動のその場観察
(横国大院工) ○(正)羽深 等・山屋 大輔		Silicon
Organic compound
adsorption
S-35168
9:20〜 9:40L302InGaAsP系MOVPEにおけるV族吸脱着速度と固相組成
(東大院工) ○(学)鬼塚 隆祐・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩・中野 義昭		MOVPE
Crystal Growth
Simulation
S-35769
9:40〜 10:00L303GaAsおよびInPのMOVPEにおける表面吸着層の速度過程比較
(東大院工) ○(学)出浦 桃子・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩・(東大先端研) 中野 義昭		MOVPE
Surface adsorption layer
kinetics
S-35790
(10:00〜11:00)　(座長 羽深 等)
10:00〜 10:20L304高速回転型CVD装置を用いたGaAs成長プロセスにおけるH2/N2混合ガスキャリアの影響
(東芝) ○(正)高瀬 俊朗・(正)宇井 明生・(正)玉置 直樹		MOCVD
CHEMKIN
rapid rotation reactor
S-35587
10:20〜 10:40L305選択成長プロファイル解析によるInP,InAs-MOVPE成長の速度論
(東大院工) ○(学)王 雲鵬・(正)宋 海政・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)霜垣 幸浩		InP/InAs-MOVPE
Selective area growth
Kinetics
S-35687
10:40〜 11:00L306MOVPEにおける表面反応速度と表面原子構造の関係
(東大工) ○(正)杉山 正和・(学)出浦 桃子・(正)宋 海政・(学)王 云鵬・(東大先端研) 中野 義昭・(東大工) (正)霜垣 幸浩		MOVPE
surface reaction rate
surface reconstruction
S-35820
(11:00〜12:00)　(座長 齊藤丈靖)
11:00〜 11:20L307大型CVD反応炉によるBNセラミックス合成
(阪大基工) ○(学)藤井 清利・(阪基工) (正)西山 憲和・(正)江頭 靖幸・(正)上山 惟一		Pyrolitic Boron Nitride
CVD
Crystal growth
S-35337
11:20〜 12:00L308[展望講演] 4H-SiC用高速CVD炉の開発コンセプト
(産総研) ○石田 夕起		4H-SiC homo-epitaxial growth
Chemical vapor deposition
High-rate growth
S-35424
(13:00〜14:00)　(座長 近藤英一)
13:00〜 13:20L313パルスインジェクション方式による高品質 GaNの低温MOVPE成長
(東大院工) ○(学)梁 正承・Sodabanulu Hassanet・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)霜垣 幸浩		Pulse injection method
GaN
MOVPE
S-35755
13:20〜 13:40L314パルスインジェクションを用いたInPの選択MOVPE成長における端面異常成長の抑制
(東大院工) ○(学)谷 和樹・(学)出浦 桃子・(正)杉山 正和・中野 義昭・(正)霜垣 幸浩		abnormal growth
Pulse Injection
SA-MOVPE
S-35387
13:40〜 14:00L315チタン酸ストロンチウム薄膜のエピタキシャル成長条件
(東海大院工) ○(正)秋山 泰伸・村上 博史・下中 克也・川島 知至		CVD
Epitaxial Growth
Strontium Titanate
S-35147
(14:00〜15:00)　(座長 伊原 学)
14:00〜 14:20L316パルス放電プラズマによるTiO2の部分還元およびその特性評価
(東工大) ○(学)蔡 潤槿・(正)森 伸介・(正)鈴木 正昭		partial reduction
TiO2
plasma
S-35960
14:20〜 14:40L317TiO2中空粒子へのPLD法による金属担持
(阪府大工) ○(学)合川 英男・(旭化成) (正)杉岡 晃子・(京大工) (正)長嶺 信輔・(阪府大工) (正)津久井 茂樹		TiO2 hollow particle
PLD
metal support
S-35982
14:40〜 15:00L318超臨界二酸化炭素流体を利用したTi酸化物薄膜の段差被覆成膜
(上智大理工) ○(正)内田 寛・加納 富由樹・(正)由井 和子・(正)幸田 清一郎		supercritical carbon dioxide
thin film
titanium oxide
S-35499
(15:00〜16:00)　(座長 秋山泰伸)
15:00〜 15:20L319超臨界流体を用いたULSI微細孔へのCu埋め込み
(東大院工) ○(学)百瀬 健・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩		Gap-filling
Supercritical Fluid
Cu
S-35848
15:20〜 15:40L320酸化還元を利用したULSI-Cu配線形成用CVDプロセスの速度論
(東大院工) ○(学)須佐 圭雄・金 勲・(正)霜垣 幸浩		CVD
step coverage
Cu oxide
S-35452
15:40〜 16:00L321熱フィラメント水素ラジカルソースによるCu薄膜改質
(山梨大) ○(正)近藤 英一・深澤 真也		hot filament
hydrongen radial
cu thin films
S-35967
講演プログラム
化学工学会 第39回秋季大会
(C) 2007 (社)化学工学会 The Society of Chemical Engineers, Japan. All rights reserved.
Most recent update: 2007-07-24 09:36:53
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