SCEJ

化学工学会 第39回秋季大会

講演プログラム（セッション別）

シンポジウム ＜CVD・ドライプロセス＞

L201-L209, L213-L219, L301-L309, L313-L321

最終更新日時：2007-07-24 09:36:53
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
L会場 第2日
(9:00〜10:00)　(座長 野田 優)
9:00〜 9:20L201LPI法を用いたBTXからのカーボンナノファイバーの高効率製造
(京大院工) ○(学)久松 治・板倉 啓・(正)田門 肇・(北大工) (正)向井 紳		Carbon nanofibers
Liquid pulse injection technique
BTX
S-35495
9:20〜 9:40L202詳細な化学反応スキームとCFDとのカップリングによる熱分解炭素CVDの数値シミュレーション
(北大エネセン) ○(学)三枝 直路・(正)則永 行庸・(正)林 潤一郎		CVD
CFD
carbon
S-35995
9:40〜 10:00L203熱分解炭素CVDにおける反応器内半径方向ガス組成分布の赤外分光分析
(京大工) ○(正)河瀬 元明・(学)山本 剛紀・(正)三浦 孝一		pyrocarbon
CVD
infrared absorption
S-35445
(10:00〜11:00)　(座長 河瀬元明)
10:00〜 10:20L204目的に応じた単層カーボンナノチューブの合成
(東大院工) ○(正)野田 優・(学)長谷川 馨・(学)杉目 恒志・(学)筧 和憲・丸山 茂夫・(正)山口 由岐夫		single-walled carbon nanotubes
customized synthesis
combinatorial method
S-35588
10:20〜 10:40L205単層カーボンナノチューブ垂直配向成長と触媒ナノ粒子の粗大化・失活
(東大院工) ○(学)諸隈 慎吾・(学)長谷川 馨・(正)野田 優・丸山 茂夫・(正)山口 由岐夫		single-walled carbon nanotubes
rapid growth
catalyst deactivation
S-35598
10:40〜 11:00L206大気圧プラズマによるダメージフリーCVDの構築と垂直配向単層カーボンナノチューブ合成への展開
(東工大院) ○(正)野崎 智洋・(東工大) 大西 空摩・(東工大院) (正)岡崎 健		Atmospheric pressure non-thermal plasma
Single-walled carbon nanotubes
Ion damage
S-3523
(11:00〜12:00)　(座長 野崎智洋)
11:00〜 11:20L207非平衡COプラズマを用いたダイヤモンド薄膜の低温合成
(東工大院理工) ○(正)森 伸介・(東工大) 服部 裕任・(東工大院理工) (正)鈴木 正昭		plasma CVD
diamond thin film
low temperature synthesis
S-35174
11:20〜 11:40L208プラズマエッチングにおけるイオンエネルギー分布解析
(東芝研究開発センター) ○(正)宇井 明生		Plasma Etching
Ion Energy Distribution
Reactive Ion Etching
S-35511
11:40〜 12:00L209試験構造基板を利用したC5F8/O2/Arプラズマ反応のメカニズム解析
(東大院工) ○(学)関 淳志・(正)霜垣 幸浩		plasma CVD
Dry Etching
Reaction Kinetics
S-35453
(13:00〜14:20)　(座長 杉山正和)
13:00〜 13:40L213[展望講演] 近接場光を用いたCVDによるナノ加工とその応用
(東大工) ○川添 忠		Optical Near-Fields
Photo-CVD
Photochemical Reaction
S-35178
13:40〜 14:00L215アルゴン-水素アークによるSn-Ag合金からの選択的蒸発促進機構の検討
(東工大総理工) ○(学)田中 学・(正)渡辺 隆行		DC arc
Vaporization Enhancement
Sn-Ag alloy
S-35624
14:00〜 14:20L216スキャニングアニールによるナノ粒子FeSi2／Si複合薄膜の作製とそのナノ構造
(東工大炭エネ研) ○(学)寺澤 真輔・(学)井上 建・(東工大分析支援セ) 源関 聡・(東工大炭エネ研) (正)伊原 学		Iron Silicide
Zone Melting Crystallization
Nano-particle
S-35987
(14:20〜15:20)　(座長 霜垣幸浩)
14:20〜 14:40L217薄膜ZMC法によるFeSi2薄膜の作製と温度による結晶相の制御
(東工大炭エネ研) ○(学)井上 建・(学)寺澤 真輔・(正)伊原 学		solar cell
Iron silicide
crystallization
S-35991
14:40〜 15:00L218W/Oエマルジョンの燃料過濃燃焼によるNi超微粒子の製造
(名大工) ○(学)川越 真吾・(環境研) (正)小林 潤・(名大工) (正)小林 信介・(正)羽多野 重信・(正)板谷 義紀・(所属なし) (正)森 滋勝		nano particle
W/O emulsion
combustion
S-35653
15:00〜 15:20L219固体間発熱現象を利用したTiO2ナノ粒子のフラッシュ合成
(北大) ○(学)北村 泰昭・沖中 憲之・(正)秋山 友宏		nanofabrication
solid state reaction
oxide materials
S-35781
L会場 第3日
(9:00〜10:00)　(座長 玉置直樹)
9:00〜 9:20L301シリコン表面における有機物分子吸着脱離挙動のその場観察
(横国大院工) ○(正)羽深 等・山屋 大輔		Silicon
Organic compound
adsorption
S-35168
9:20〜 9:40L302InGaAsP系MOVPEにおけるV族吸脱着速度と固相組成
(東大院工) ○(学)鬼塚 隆祐・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩・中野 義昭		MOVPE
Crystal Growth
Simulation
S-35769
9:40〜 10:00L303GaAsおよびInPのMOVPEにおける表面吸着層の速度過程比較
(東大院工) ○(学)出浦 桃子・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩・(東大先端研) 中野 義昭		MOVPE
Surface adsorption layer
kinetics
S-35790
(10:00〜11:00)　(座長 羽深 等)
10:00〜 10:20L304高速回転型CVD装置を用いたGaAs成長プロセスにおけるH2/N2混合ガスキャリアの影響
(東芝) ○(正)高瀬 俊朗・(正)宇井 明生・(正)玉置 直樹		MOCVD
CHEMKIN
rapid rotation reactor
S-35587
10:20〜 10:40L305選択成長プロファイル解析によるInP,InAs-MOVPE成長の速度論
(東大院工) ○(学)王 雲鵬・(正)宋 海政・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)霜垣 幸浩		InP/InAs-MOVPE
Selective area growth
Kinetics
S-35687
10:40〜 11:00L306MOVPEにおける表面反応速度と表面原子構造の関係
(東大工) ○(正)杉山 正和・(学)出浦 桃子・(正)宋 海政・(学)王 云鵬・(東大先端研) 中野 義昭・(東大工) (正)霜垣 幸浩		MOVPE
surface reaction rate
surface reconstruction
S-35820
(11:00〜12:00)　(座長 齊藤丈靖)
11:00〜 11:20L307大型CVD反応炉によるBNセラミックス合成
(阪大基工) ○(学)藤井 清利・(阪基工) (正)西山 憲和・(正)江頭 靖幸・(正)上山 惟一		Pyrolitic Boron Nitride
CVD
Crystal growth
S-35337
11:20〜 12:00L308[展望講演] 4H-SiC用高速CVD炉の開発コンセプト
(産総研) ○石田 夕起		4H-SiC homo-epitaxial growth
Chemical vapor deposition
High-rate growth
S-35424
(13:00〜14:00)　(座長 近藤英一)
13:00〜 13:20L313パルスインジェクション方式による高品質 GaNの低温MOVPE成長
(東大院工) ○(学)梁 正承・Sodabanulu Hassanet・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)霜垣 幸浩		Pulse injection method
GaN
MOVPE
S-35755
13:20〜 13:40L314パルスインジェクションを用いたInPの選択MOVPE成長における端面異常成長の抑制
(東大院工) ○(学)谷 和樹・(学)出浦 桃子・(正)杉山 正和・中野 義昭・(正)霜垣 幸浩		abnormal growth
Pulse Injection
SA-MOVPE
S-35387
13:40〜 14:00L315チタン酸ストロンチウム薄膜のエピタキシャル成長条件
(東海大院工) ○(正)秋山 泰伸・村上 博史・下中 克也・川島 知至		CVD
Epitaxial Growth
Strontium Titanate
S-35147
(14:00〜15:00)　(座長 伊原 学)
14:00〜 14:20L316パルス放電プラズマによるTiO2の部分還元およびその特性評価
(東工大) ○(学)蔡 潤槿・(正)森 伸介・(正)鈴木 正昭		partial reduction
TiO2
plasma
S-35960
14:20〜 14:40L317TiO2中空粒子へのPLD法による金属担持
(阪府大工) ○(学)合川 英男・(旭化成) (正)杉岡 晃子・(京大工) (正)長嶺 信輔・(阪府大工) (正)津久井 茂樹		TiO2 hollow particle
PLD
metal support
S-35982
14:40〜 15:00L318超臨界二酸化炭素流体を利用したTi酸化物薄膜の段差被覆成膜
(上智大理工) ○(正)内田 寛・加納 富由樹・(正)由井 和子・(正)幸田 清一郎		supercritical carbon dioxide
thin film
titanium oxide
S-35499
(15:00〜16:00)　(座長 秋山泰伸)
15:00〜 15:20L319超臨界流体を用いたULSI微細孔へのCu埋め込み
(東大院工) ○(学)百瀬 健・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩		Gap-filling
Supercritical Fluid
Cu
S-35848
15:20〜 15:40L320酸化還元を利用したULSI-Cu配線形成用CVDプロセスの速度論
(東大院工) ○(学)須佐 圭雄・金 勲・(正)霜垣 幸浩		CVD
step coverage
Cu oxide
S-35452
15:40〜 16:00L321熱フィラメント水素ラジカルソースによるCu薄膜改質
(山梨大) ○(正)近藤 英一・深澤 真也		hot filament
hydrongen radial
cu thin films
S-35967
講演プログラム
化学工学会 第39回秋季大会
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