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化学工学会 第82年会 (東京 2017)

講演申し込み一覧（シンポジウム・講演分類別）

5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時：2017-05-20 20:59:01

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番号		講演題目／発表者キーワード発表形式
86ディーゼルエンジンにおけるカーボンナノチューブの合成に対する燃料種の影響と生成機構の考察
(東工大院理工) (学)○鈴木 俊介・ (東工大物質理工) (正)森 伸介		Carbon nanotube
Diesel engine
Growth mechanism
O
178単層カーボンナノチューブの火炎合成と触媒供給・反応場制御
(早大先進理工) (学)○岡田 翔平・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (富士フイルム) (法)片岡 祥平・ (法)五十嵐 達也・ (早大先進理工) (正)野田 優		single-wall carbon nanotubes
flame synthesis
catalyst supply control
P
209絶縁体基板上での金属薄膜のクロロホルムとの反応によるグラフェンへの変換
(早大先進理工) (学)○大橋 慧・ (学)秋葉 祥惠・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (正)野田 優		graphene films
dry-etching
chloroform
P
211酸化剤添加によるカーボンナノチューブ合成の安定化:水蒸気と二酸化炭素
(早大先進理工) (学)○佐藤 俊裕・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)野田 優		carbon nanotubes
catalytic chemical vapor deposition
oxidizing additives
P
243Fabrication of Ag-TiO2 nanocomposite films via one-step gas-phase deposition and their characterizations after heat treatment processes
(広大院工/ITS Surabaya) (正)○Kusdianto K.・ (広大院工) Jiang Dianping・ (正)Kubo Masaru・ (正)Shimada Manabu		PECVD
PVD
photocatalytic activity
O
251セラミックビーズへの触媒の気相担持と長尺カーボンナノチューブの流動層合成
(早大先進理工) (学)○吉田 昌広・ (正)大沢 利男・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)野田 優		carbon nanotubes
fluidized bed
chemical vapor deposition
P
273浮遊触媒化学気相成長法による単層カーボンナノチューブとその繊維状集合体の連続合成
(早大先進理工) (学)○並木 克也・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (正)野田 優		single-wall carbon nanotubes
floating catalyst chemical vapor deposition
reaction field control
P
321熱CVD法によるTi1-xAlxNの合成と評価
(東大工) (学)○佐藤 宏樹・ 平原 智子・ (京セラ) 久保 隼人・ (東大工) (正)百瀬 健・ (京セラ) 谷渕 栄仁・ (東大工) (正)霜垣 幸浩		CVD
coating
TiAlN
P
476銅箔上での大面積グラフェン合成に向けた化学エッチング条件の検討
(福岡大工) (正)○吉原 直記・ (正)野田 賢		Graphene
CVD
Chemical etching
O
478SiC-CVIプロセスにおけるマルチスケールでの均一成長を目指したHClガス添加及び高濃度原料供給効果
(東大院工) (学)○中 智明・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		CVD
SiC
P
552SiC-CVIプロセスの合理設計による超均一含浸の実現および複合材料特性への影響
(東大院工) (学)○嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ (学)中 智明・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		CVD
SiC
CMC
O
557ステンレス細管内壁へのカーボンナノチューブ直接合成
(京大院工) (学)○平井 大輝・ (正)佐野 紀彰・ (正)田門 肇		carbon nanotube
stainless steel
chemical vapor deposition
P
589ミリメータ長カーボンナノチューブのアルミニウム箔上への直接合成
(早大先進理工) (学)○三浦 正太・ (早大高等研) (正)杉目 恒志・ (デンソー) (法)太田 アウン・ (法)大島 久純・ (早大先進理工) (正)野田 優		carbon nanotubes
aluminum substrate
chemical vapor deposition
P
664モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築 (4)
(東大院工) (学)○舩門 佑一・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)中 智明・ (正)福島 康之・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		SiC
Reaction model
CVD
O
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