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化学工学会 第52回秋季大会 (岡山)

講演プログラム（会場・日程別） : VC会場・第2日

講演要旨は各講演番号からリンクしています。
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VC 会場(オンライン) ・ 第 2 日(9月23日(木))

ST-22

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
ST-22 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－
(9:00～11:40) (座長 齊藤 丈靖・玉置 直樹)
9:00～ 9:40VC201[展望講演] 反応性プラズマを用いたナノ粒子の成長制御とその応用展開
(九大シス情) 古閑 一憲
CVD
nano-particles
growth control
ST-22514
9:40～ 10:00VC203One-step fabrication of CuO-loaded TiO2 nanoparticulate thin film for photocatalytic application under visible light irradiation
(Hiroshima U.) ○(学)Hudandini Meditha・ Jiang Dianping・ (ITS) Kusdianto K・ (Hiroshima U.) (正)Kubo Masaru・ (正)Shimada Manabu
PECVD-PVD
nanocomposite
heterojunction
ST-22154
10:00～ 10:20VC204Ti[N(CH3)2]4を用いたプラズマCVD法によるTiCN膜の作製
(阪府大院工) ○(学)竹内 陸・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖
plasma CVD
TDMAT
TiCN
ST-22863
10:20～ 10:50休憩
10:50～ 11:20VC206[招待講演] プラズマ照射下の空間ミクロかつ時間マクロな構造変化の再現計算への挑戦
(核融合研) 伊藤 篤史
CVD
plasma
numerical simulation
ST-22519
11:20～ 11:40VC208理論的検討に基づいたTiAlN-CVDプロセスにおける気相素反応機構構築
(東大院工) ○(正)佐藤 登・ (学)山口 潤・ (京セラ) (法)久保 隼人・ (法)杉山 貴悟・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (京セラ) (法)谷渕 栄仁・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
TiAlN
CVD
Elementary reaction model
ST-22785

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