SCEJ 49th Autumn Meeting (Nagoya, 2017): List of the applications (topics)

ST-26. [部会横断型シンポジウム] CVD・ドライプロセス ―デバイス構造・機能制御の反応工学―

オーガナイザー:

下山裕介（東京工業大学）・西田　哲（岐阜大学）・池田　圭（(株)アテナシス）

太陽電池，エレクトロニクス，MEMS，機能性コーティング等の分野において，大面積かつ低コストでの薄膜・微粒子形成技術が求められています。本シンポジウムでは，CVD・ドライプロセスを利用した薄膜形成・微粒子合成・微細加工における構造・機能制御について，経験的なトライアル＆エラーではなく，反応メカニズムの理解による論理的な最適化を目指し議論することを目的とします。なお，優秀な発表をされた若手研究者には，CVD反応分科会奨励賞を贈呈します．

最終更新日時：2018-02-12 17:39:01

この分類でよく使われているキーワード	キーワード	受理件数
CVD	5件
chemical vapor deposition	4件
plasma CVD	2件
carbon nanotube	2件
SiC	2件
passivation	1件

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キーワード

受理件数

CVD

5件

chemical vapor deposition

4件

plasma CVD

2件

carbon nanotube

2件

SiC

2件

passivation

1件

受理番号	講演題目／発表者	キーワード	発表形式
61	単層カーボンナノチューブの火炎合成:反応場・流れ場・触媒供給制御による高品質化 (早大先進理工) (学)○岡田翔平・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)大沢利男・ (富士フイルム) (法)杉浦寛記・ (法)片岡祥平・ (法)五十嵐達也・ (早大先進理工) (正)野田優	single-wall carbon nanotubes flame synthesis reaction field control	O
62	CVD法を用いたカーボンナノチューブ合成に対する硫黄の影響 (東工大院理工) (学)○鈴木俊介・ (東工大物質理工) (正)森伸介	carbon nanotube sulfur chemical vapor deposition	O
187	[招待講演] 高密度・基材包囲プラズマと基材へのガス吹付による超高速DLC成膜 (岐阜大工) 上坂裕之	Diamond-Like Carbon Microwave Plasma CVD	O
367	熱CVD法により合成したTi_1-xAl_xN膜の結晶構造の原料ガス分圧依存性 (東大工) (学)○佐藤宏樹・平原智子・ (京セラ) (法)久保隼人・ (東大工) (正)百瀬健・ (京セラ) (法)谷渕栄仁・ (東大工) (正)霜垣幸浩	CVD TiAlN cutting tool	O
609	不活性表面でのベンゼンからの炭素CVD速度の解析 (京大院工) (学)○上村修平・ (京大工) (正)河瀬元明	CVD Carbon Benzene	O
618	シリカプラズマCVDにおける気相種の質量分析 (京大工) (学)○田中茉莉亜・ (正)河瀬元明	plasma CVD silica mass spectrometry	O
658	噴霧法による多孔性配位高分子HKUST-1薄膜の形成メカニズム (広大院工) (正)○久保優・ (学)菅原拓哉・ (正)島田学	Porous materials Crystal growth Carbon nanotube composite	O
666	Porous carbon electrode fabricated from supercritical drying for Li-O₂/CO₂ battery (東工大物質理工) (学)○Kunanusont Nattanai・ (正)下山裕介	supercritical drying porous carbon electrode Li-O2/CO2 battery	O
681	浮遊コーティングプロセスでMWCNT上に形成したTiO₂層の形態に及ぼす反応条件の影響 (広大院工) (学)○福本善彦・ (正)久保優・ (広大院工/ITS Surabaya) (正)Kusdianto K・ (広大院工) (正)島田学	Nanocomposite Plasma-enhanced chemical vapor deposition Aerosolization	O
711	WC-Coの表面改質によるTiC系硬質膜の密着性改善 (阪府大院工) (学)○田中千尋・ (阪府大工) (学)清川大地・ (阪府大院工) (正)岡本尚樹・ (正)齊藤丈靖・ (阪大産研) 樋口宏二・北島彰	adhesion strength hard coating cemented carbide	O
729	塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDにおける添加ガスによる副生成物の低減 (東大院工) (学)○佐藤登・ (IHI) (法)福島康之・ (東大院工) (学)舩門佑一・ (正)嶋紘平・ (正)百瀬健・ (学位授与機構) 越光男・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	silicon chlorine compounds by-product elementary reaction simulation	O
769	塩化物介在CVD法による多層CNT成長における一酸化炭素添加効果 (静大院工) (学)○小松原孝太・山梨博美・苅田基志・中野貴之・井上翼・ (JNC) (法)長岡宏一	carbon nanotube carbon monoxide chemical vapor deposition	O
770	[展望講演] 最先端プラズマ科学に基づいたプロセス制御と未来産業への展望 (名大工) ○堀勝・石川健治・関根誠	Plasma Deposition Etching	O
800	[展望講演] 次世代高効率シリコン太陽電池用薄膜技術の展望 (豊田工大) ○大下祥雄・ (明治大) 中村京太郎・ (豊田工大) Lee Hyunju・神岡武文	Solar cells passivation CVD	O
805	[招待講演] 化学気相浸透法による複合材料製造の数値シミュレーション (名大院工) (正)則永行庸	chemical vapor infiltration composite materials numerical simulation	O
806	[招待講演] ガス成長法による4H-SiCバルク単結晶成長の開発 (デンソー) (法)○牧野英美・ (法)徳田雄一郎・ (法)神田貴裕・ (法)杉山尚宏・ (法)久野裕也・ (電中研) 星乃紀博・鎌田功穂・土田秀一・ (デンソー) (法)小島淳	4H-SiC gas-source method fast growth	O
810	SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデルの検討 (東大院工) (学)○中智明・ (学)佐藤登・ (正)嶋紘平・ (学)舩門佑一・ (IHI) (法)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CVI SiC process	O
813	[招待講演] 超臨界水熱合成への反応工学的アプローチ (名大院工) (正)高見誠一	supercritical hydrothermal synthesis metal oxide nanoparticles reaction engineering	O
875	ECR放電を用いたプラズマCVD法によるカーボンナノウォールの合成と並列化手法の検討 (東工大物質理工) (学)○鈴木諒・ (正)森伸介	carbon nanowalls plasma enhanced CVD	O
883	コンビナトリアル手法による二元系触媒の最適化とカーボンナノチューブのカイラリティ選択的合成 (早大先進理工) (学)○江戸倫子・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)野田優	chemical vapor deposition carbon nanotubes chirality control	O
923	SiC-CVD総括反応モデルの構築と検証 (東大院工) (学)○舩門佑一・ (学)佐藤登・ (正)嶋紘平・ (学)中智明・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC CVD modeling	O
942	CVDトレンチ埋込プロセスのマルチスケール解析とシミュレーション (東大院工) (学)○舩門佑一・ (学)佐藤登・ (正)嶋紘平・ (学)中智明・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CVD trench Multiscale	O
1003	導電性基板上での高密度カーボンナノチューブフォレストの低温成長技術の開発 (早大高等研) (正)杉目恒志	chemical vapor deposition low temperature growth lithography	O

受理
番号

講演題目／発表者

キーワード

発表形式

単層カーボンナノチューブの火炎合成:反応場・流れ場・触媒供給制御による高品質化
(早大先進理工) (学)○岡田翔平・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)大沢利男・ (富士フイルム) (法)杉浦寛記・ (法)片岡祥平・ (法)五十嵐達也・ (早大先進理工) (正)野田優

single-wall carbon nanotubes
flame synthesis
reaction field control

CVD法を用いたカーボンナノチューブ合成に対する硫黄の影響
(東工大院理工) (学)○鈴木俊介・ (東工大物質理工) (正)森伸介

carbon nanotube
sulfur
chemical vapor deposition

187

[招待講演] 高密度・基材包囲プラズマと基材へのガス吹付による超高速DLC成膜
(岐阜大工) 上坂裕之

Diamond-Like Carbon
Microwave
Plasma CVD

367

熱CVD法により合成したTi_1-xAl_xN膜の結晶構造の原料ガス分圧依存性
(東大工) (学)○佐藤宏樹・平原智子・ (京セラ) (法)久保隼人・ (東大工) (正)百瀬健・ (京セラ) (法)谷渕栄仁・ (東大工) (正)霜垣幸浩

CVD
TiAlN
cutting tool

609

不活性表面でのベンゼンからの炭素CVD速度の解析
(京大院工) (学)○上村修平・ (京大工) (正)河瀬元明

CVD
Carbon
Benzene

618

シリカプラズマCVDにおける気相種の質量分析
(京大工) (学)○田中茉莉亜・ (正)河瀬元明

plasma CVD
silica
mass spectrometry

658

噴霧法による多孔性配位高分子HKUST-1薄膜の形成メカニズム
(広大院工) (正)○久保優・ (学)菅原拓哉・ (正)島田学

Porous materials
Crystal growth
Carbon nanotube composite

666

Porous carbon electrode fabricated from supercritical drying for Li-O₂/CO₂ battery
(東工大物質理工) (学)○Kunanusont Nattanai・ (正)下山裕介

supercritical drying
porous carbon electrode
Li-O2/CO2 battery

681

浮遊コーティングプロセスでMWCNT上に形成したTiO₂層の形態に及ぼす反応条件の影響
(広大院工) (学)○福本善彦・ (正)久保優・ (広大院工/ITS Surabaya) (正)Kusdianto K・ (広大院工) (正)島田学

Nanocomposite
Plasma-enhanced chemical vapor deposition
Aerosolization

711

WC-Coの表面改質によるTiC系硬質膜の密着性改善
(阪府大院工) (学)○田中千尋・ (阪府大工) (学)清川大地・ (阪府大院工) (正)岡本尚樹・ (正)齊藤丈靖・ (阪大産研) 樋口宏二・北島彰

adhesion strength
hard coating
cemented carbide

729

塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDにおける添加ガスによる副生成物の低減
(東大院工) (学)○佐藤登・ (IHI) (法)福島康之・ (東大院工) (学)舩門佑一・ (正)嶋紘平・ (正)百瀬健・ (学位授与機構) 越光男・ (東大院工) (正)霜垣幸浩

silicon chlorine compounds
by-product
elementary reaction simulation

769

塩化物介在CVD法による多層CNT成長における一酸化炭素添加効果
(静大院工) (学)○小松原孝太・山梨博美・苅田基志・中野貴之・井上翼・ (JNC) (法)長岡宏一

carbon nanotube
carbon monoxide
chemical vapor deposition

770

[展望講演] 最先端プラズマ科学に基づいたプロセス制御と未来産業への展望
(名大工) ○堀勝・石川健治・関根誠

Plasma
Deposition
Etching

800

[展望講演] 次世代高効率シリコン太陽電池用薄膜技術の展望
(豊田工大) ○大下祥雄・ (明治大) 中村京太郎・ (豊田工大) Lee Hyunju・神岡武文

Solar cells
passivation
CVD

805

[招待講演] 化学気相浸透法による複合材料製造の数値シミュレーション
(名大院工) (正)則永行庸

chemical vapor infiltration
composite materials
numerical simulation

806

[招待講演] ガス成長法による4H-SiCバルク単結晶成長の開発
(デンソー) (法)○牧野英美・ (法)徳田雄一郎・ (法)神田貴裕・ (法)杉山尚宏・ (法)久野裕也・ (電中研) 星乃紀博・鎌田功穂・土田秀一・ (デンソー) (法)小島淳

4H-SiC
gas-source method
fast growth

810

SiC-CVIプロセスにおける高濃度原料供給条件下での製膜モデルの検討
(東大院工) (学)○中智明・ (学)佐藤登・ (正)嶋紘平・ (学)舩門佑一・ (IHI) (法)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

CVI
SiC
process

813

[招待講演] 超臨界水熱合成への反応工学的アプローチ
(名大院工) (正)高見誠一

supercritical hydrothermal synthesis
metal oxide nanoparticles
reaction engineering

875

ECR放電を用いたプラズマCVD法によるカーボンナノウォールの合成と並列化手法の検討
(東工大物質理工) (学)○鈴木諒・ (正)森伸介

carbon nanowalls
plasma enhanced CVD

883

コンビナトリアル手法による二元系触媒の最適化とカーボンナノチューブのカイラリティ選択的合成
(早大先進理工) (学)○江戸倫子・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)野田優

chemical vapor deposition
carbon nanotubes
chirality control

923

SiC-CVD総括反応モデルの構築と検証
(東大院工) (学)○舩門佑一・ (学)佐藤登・ (正)嶋紘平・ (学)中智明・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

SiC
CVD
modeling

942

CVDトレンチ埋込プロセスのマルチスケール解析とシミュレーション
(東大院工) (学)○舩門佑一・ (学)佐藤登・ (正)嶋紘平・ (学)中智明・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

CVD
trench
Multiscale

1003

導電性基板上での高密度カーボンナノチューブフォレストの低温成長技術の開発
(早大高等研) (正)杉目恒志

chemical vapor deposition
low temperature growth
lithography

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