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化学工学会 第39回秋季大会

講演プログラム（会場・日程別）

L会場 第3日

最終更新日時：2007-07-24 09:36:53
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
シンポジウム ＜CVD・ドライプロセス＞
(9:00〜10:00)　(座長 玉置直樹)
9:00〜 9:20L301シリコン表面における有機物分子吸着脱離挙動のその場観察
(横国大院工) ○(正)羽深 等・山屋 大輔		Silicon
Organic compound
adsorption
S-35168
9:20〜 9:40L302InGaAsP系MOVPEにおけるV族吸脱着速度と固相組成
(東大院工) ○(学)鬼塚 隆祐・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩・中野 義昭		MOVPE
Crystal Growth
Simulation
S-35769
9:40〜 10:00L303GaAsおよびInPのMOVPEにおける表面吸着層の速度過程比較
(東大院工) ○(学)出浦 桃子・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩・(東大先端研) 中野 義昭		MOVPE
Surface adsorption layer
kinetics
S-35790
(10:00〜11:00)　(座長 羽深 等)
10:00〜 10:20L304高速回転型CVD装置を用いたGaAs成長プロセスにおけるH2/N2混合ガスキャリアの影響
(東芝) ○(正)高瀬 俊朗・(正)宇井 明生・(正)玉置 直樹		MOCVD
CHEMKIN
rapid rotation reactor
S-35587
10:20〜 10:40L305選択成長プロファイル解析によるInP,InAs-MOVPE成長の速度論
(東大院工) ○(学)王 雲鵬・(正)宋 海政・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)霜垣 幸浩		InP/InAs-MOVPE
Selective area growth
Kinetics
S-35687
10:40〜 11:00L306MOVPEにおける表面反応速度と表面原子構造の関係
(東大工) ○(正)杉山 正和・(学)出浦 桃子・(正)宋 海政・(学)王 云鵬・(東大先端研) 中野 義昭・(東大工) (正)霜垣 幸浩		MOVPE
surface reaction rate
surface reconstruction
S-35820
(11:00〜12:00)　(座長 齊藤丈靖)
11:00〜 11:20L307大型CVD反応炉によるBNセラミックス合成
(阪大基工) ○(学)藤井 清利・(阪基工) (正)西山 憲和・(正)江頭 靖幸・(正)上山 惟一		Pyrolitic Boron Nitride
CVD
Crystal growth
S-35337
11:20〜 12:00L308[展望講演] 4H-SiC用高速CVD炉の開発コンセプト
(産総研) ○石田 夕起		4H-SiC homo-epitaxial growth
Chemical vapor deposition
High-rate growth
S-35424
(13:00〜14:00)　(座長 近藤英一)
13:00〜 13:20L313パルスインジェクション方式による高品質 GaNの低温MOVPE成長
(東大院工) ○(学)梁 正承・Sodabanulu Hassanet・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)霜垣 幸浩		Pulse injection method
GaN
MOVPE
S-35755
13:20〜 13:40L314パルスインジェクションを用いたInPの選択MOVPE成長における端面異常成長の抑制
(東大院工) ○(学)谷 和樹・(学)出浦 桃子・(正)杉山 正和・中野 義昭・(正)霜垣 幸浩		abnormal growth
Pulse Injection
SA-MOVPE
S-35387
13:40〜 14:00L315チタン酸ストロンチウム薄膜のエピタキシャル成長条件
(東海大院工) ○(正)秋山 泰伸・村上 博史・下中 克也・川島 知至		CVD
Epitaxial Growth
Strontium Titanate
S-35147
(14:00〜15:00)　(座長 伊原 学)
14:00〜 14:20L316パルス放電プラズマによるTiO2の部分還元およびその特性評価
(東工大) ○(学)蔡 潤槿・(正)森 伸介・(正)鈴木 正昭		partial reduction
TiO2
plasma
S-35960
14:20〜 14:40L317TiO2中空粒子へのPLD法による金属担持
(阪府大工) ○(学)合川 英男・(旭化成) (正)杉岡 晃子・(京大工) (正)長嶺 信輔・(阪府大工) (正)津久井 茂樹		TiO2 hollow particle
PLD
metal support
S-35982
14:40〜 15:00L318超臨界二酸化炭素流体を利用したTi酸化物薄膜の段差被覆成膜
(上智大理工) ○(正)内田 寛・加納 富由樹・(正)由井 和子・(正)幸田 清一郎		supercritical carbon dioxide
thin film
titanium oxide
S-35499
(15:00〜16:00)　(座長 秋山泰伸)
15:00〜 15:20L319超臨界流体を用いたULSI微細孔へのCu埋め込み
(東大院工) ○(学)百瀬 健・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩		Gap-filling
Supercritical Fluid
Cu
S-35848
15:20〜 15:40L320酸化還元を利用したULSI-Cu配線形成用CVDプロセスの速度論
(東大院工) ○(学)須佐 圭雄・金 勲・(正)霜垣 幸浩		CVD
step coverage
Cu oxide
S-35452
15:40〜 16:00L321熱フィラメント水素ラジカルソースによるCu薄膜改質
(山梨大) ○(正)近藤 英一・深澤 真也		hot filament
hydrongen radial
cu thin films
S-35967
講演プログラム
化学工学会 第39回秋季大会
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Most recent update: 2007-07-24 09:36:53
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