講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
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粒子・流体プロセス | |||||
(9:00〜10:20) (座長 神谷 哲・貝出 絢) | |||||
D201 | 粘弾性流体を対象とした正逆交互回転翼撹拌のトルク変動解析 | FFT harmonic wave relaxation time | 2-b | 897 | |
D202 | スタティックミキサーの混合性能の定量的評価手法の開発 | Static mixer Flow visualization Mixing evaluation | 2-b | 400 | |
D203 | 数値シミュレーションを用いたドラフトチューブ付固液攪拌槽の設計 | Mixing CFD Simulation | 2-b | 555 | |
D204 | くりこみ群分子動力学法による撹拌槽の計算機実験 | Mixing MAXBLEND Impeller Molecular Dynamics | 2-b | 67 | |
(10:20〜12:00) (座長 菰田 悦之・矢嶋 崇昭) | |||||
D205 | 混合パターン変化の速度ベクトル場とその諸特性 | mixing pattern pattern velocity streakline | 2-b | 366 | |
D206 | 混合パターン図の動力学化と黄金比条件 | mixing pattern golden ratio pattern dynamics | 2-b | 368 | |
D207 | CFD援用によるローター・ステーター型ミキサーの形状最適化 | Rotor stator mixer CFD Energy dissipation rate | 2-b | 589 | |
D208 | CFD援用による撹拌装置性能の初期評価 Part.1 格子法(有限体積法)を用いた評価事例 | CFD analysis mixing devices Finite volume method | 2-b | 806 | |
D209 | CFD援用による撹拌装置性能の初期評価 Part.2 粒子法(MPS法)を用いた評価事例 | CFD Moving Particle Simulation Mixing | 2-e | 588 | |
反応工学 | |||||
(13:00〜14:20) (座長 牧野 総一郎) | |||||
D213 | カーボンナノチューブの気相連続合成と短径化・高収量化への挑戦 | carbon nanotubes chemical vapor deposition aerosol catalysts | 5-h | 883 | |
D214 | カーボンナノチューブの基板上合成と各種デバイス応用 | carbon nanotubes chemical vapor deposition self-organization | 5-h | 886 | |
D215 | 長尺カーボンナノチューブの流動層合成と蓄電デバイス三次元電極の創製 | carbon nanotubes fluidized bed electric storage devices | 5-h | 894 | |
D216 | グラフェンCVD成長における加熱前処理工程の役割 | graphene pre-anneal chemical vapor deposition | 5-h | 402 | |
(14:20〜16:00) (座長 渡部 綾・百瀬 健) | |||||
D217 | 栃木県産バイオマス(干瓢)を用いた製品の開発 | Desiccating tablet Dried gourd Kanpyo | 5-g | 133 | |
D218 | 縦型回転式CVD装置の側壁における堆積物の成長抑制法の検討 | CVD CFD deposition | 5-h | 628 | |
D219 | 気固原料PECVD法における複合薄膜の構造形成 | composite material plasma synthesis aerosol nanoparticle deposition | 5-h | 762 | |
D220 | 蓄電デバイスの高容量化・軽量化を目指した活物質・集電体の急速蒸着技術 | vacuum vapor deposition thin films lithium secondary batteries | 5-h | 905 | |
D221 | 火炎法Co-Al-O粒子からの10秒スケールでの触媒粒子形成とカーボンナノチューブ成長 | carbon nanotubes cobalt nanoparticles chemical vapor deposition | 5-h | 906 | |
(16:00〜17:00) (座長 長谷川 馨・吉原 直記) | |||||
D222 | 犠牲層を活用したSiC-CVI均一埋込プロセスの構築 | CVD SiC methyltrichlorosilane | 5-h | 800 | |
D223 | 超高アスペクト比構造を用いて観察したSiC-CVI製膜挙動の温度・圧力依存性 | CVD SiC methyltrichlorosilane | 5-h | 812 | |
D224 | モノメチルトリクロロシランを用いたSiC-CVDプロセス最適化のための総括反応モデル構築(2) | SiC CVD Modelization | 5-h | 910 |