化学工学会第80年会: 講演プログラム（会場・日程別）

講演プログラム（会場・日程別）

F 会場・第 3 日

最終更新日時：2015-03-05 09:42:37

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
材料・界面
(9:00～10:20) (座長辻佳子)
9:00～ 9:20	F301	エアロゾルプロセスによる多孔性配位高分子の連続合成 (広大院工) (正)○久保優・ (学)斎藤輝晶・ (正)島田学	Porous materials Nanoparticles Spray-drying	12-k	177
9:20～ 9:40	F302	水熱合成法によるグラフェン量子ドットの合成と発光特性 (広大院工) (正)○荻崇・ (学)相島佳奈・ (正)奥山喜久夫・ (クラレ) 岩崎秀治	graphene hydrothermal reaction luminescent	12-k	434
9:40～ 10:00	F303	可溶性担体を用いた液相ペプチド合成プロセス (農工大院工) (正)○岡田洋平・ (正)神谷秀博・ (農工大院農) 千葉一裕	soluble support liquid phase synthesis peptide	12-k	573
10:00～ 10:20	F304	噴霧熱分解法によるフェノール樹脂からのカーボン微粒子構造体の合成 (Hiroshima U.) (海)○Balgis Ratna・ (正)Ogi Takashi・ (学)Mori Takahiro・ (Noritake) (正)Anilkumar Gopinathan・ (Hiroshima U.) (正)Okuyama Kikuo	zeta potential phenolic resin nanostructured carbon particles	12-k	598
10:20～ 10:40	休憩
(10:40～12:00) (座長久保優)
10:40～ 11:00	F306	二峰性分布を有するナノ粒子分散液の高ペクレ数レオロジーシミュレーション (東大院工) (正)○小池修・ (東大工) 植村文香・ (東大環安セ) (正)辰巳怜・ (東大院工) (正)山口由岐夫	rheology bimodal dispersion direct numerical simulation	12-l	802
11:00～ 11:20	F307	撥水性平滑表面での衝突水滴の動的ふるまい-何が撥水挙動のつよさを反映するか？- (福島高専) (正)車田研一	water-repellent solid surface dewetting kinematics interfacial free energy	12-i	360
11:20～ 11:40	F308	自由曲面への造形が可能な3Dプリンター(3DAPAS)の開発 (山形大工) 蜂谷崇・ (金沢大理工) (正)○瀧健太郎・ (山形大理工) 伊藤浩志・古川英光	3D printer additive manufacturing UV curable resin	12-h	266
11:40～ 12:00	F309	高分子コンポジット薄膜中のナノ粒子分散・凝集構造と薄膜の熱dewetting挙動との相関 (東北大院工) (正)○久保正樹・ (学)加藤巧・ (海)劉洋・ (富山県大工) (正)杉岡健一・ (東北大院工) (正)塚田隆夫・ (東北大多元研) (正)高見誠一・ (東北大WPI) (正)阿尻雅文	composite thin film spatial structure of nanoparticles thermal dewetting	12-h	390
(13:00～14:00) (座長土岐規仁)
13:00～ 13:20	F313	タンパク質リゾチウムにおける結晶化条件とアミロイド形成条件の比較 (岡山大院環生) (正)○島内寿徳・ (岡山大環理) (学)白髭勇季・ (岡山大院環生) (正)木村幸敬	lysozyme amyloids crystallization	4-g	779
13:20～ 13:40	F314	リン酸水素2ナトリウム・12水塩融液の過冷却温度に及ぼす実験条件の影響 (早大理工研) (正)渡邉裕之	Supercooling Temperature Disodium Hydrogen Phosphate Dodecahydrate Melt	12-g	58
13:40～ 14:00	F315	融液晶析の1次元非定常簡易解析-結晶成長速度と結晶純度の推算- (兵庫県大院工) (正)○福井啓介・ (学)藤川琢人・ (正)山本拓司・ (正)前田光治・ (国立環境研) (正)倉持秀敏	melt crystallization crystal purity growth rate	12-g	110
(14:00～15:20) (座長小堀深)
14:00～ 14:20	F316	二次電池の充放電現象における高圧力の影響 (兵庫県大工) (正)○前田光治・ (正)新船幸二・ (正)伊藤和宏・ (正)山本拓司・ (正)福井啓介・ (国立環境研) (正)倉持秀敏	High Pressure Battery Crystallization	12-g	163
14:20～ 14:40	F317	準安定領域の大きさに対するサンプル溶液体積の影響 (岩手大工) (正)久保田徳昭	Crystallization Nucleation Metastable zone width	12-g	210
14:40～ 15:00	F318	結晶多形の生成におよぼす撹拌の影響 (第一三共) (法)○須田有紀子・ (法)有賀篤・ (岩手大工) (正)土岐規仁・ (正)清水健司	polymorph L-Glutamic acid reciprocal motion mixing	12-g	212
15:00～ 15:20	F319	SiCl₄亜鉛還元反応でのシリコンウィスカー生成過程の直接観察 (農工大院工) (正)稲澤晋	silicon whiskers zinc reduction reaction VLS mechanism	12-m	380
(15:20～16:20) (座長前田光治)
15:20～ 15:40	F320	動的光散乱法を用いた結晶核検出 (第一三共) (法)○須田有紀子・ (法)有賀篤・ (岩手大工) (正)土岐規仁・ (正)清水健司	Dynamic Light Scattering nucleation particle	12-g	214
15:40～ 16:00	F321	貧溶媒晶析モデリングと成長速度パラメータの実験的推定 (エーザイ) (法)○小寺孝憲・ (日揮) (法)小針昌則	Anti-solvent crystallization Numerical simulation Growth rate	12-g	416
16:00～ 16:20	F322	液-液相分離を利用した結晶多形と結晶外形の同時制御法の提案 (農工大院工) (学)○和田修一・ (正)工藤翔慈・ (正)滝山博志	Crystallization Polymorphism Morphology	12-g	470
(16:20～17:20) (座長平沢泉)
16:20～ 16:40	F323	溶液法での共結晶粒子群製造のための4成分相図 (農工大院工) (正)○工藤翔慈・ (正)滝山博志	Cocrystal crystallization phase diagram	12-g	546
16:40～ 17:00	F324	エルゴステロール1水和物の析出に及ぼす溶媒組成の影響 (阪市大院工) (正)○五十嵐幸一・ (学)中橋和也・ (正)大嶋寛	crystallization hydrate solvent composition	12-g	736
17:00～ 17:20	F325	サリチル酸／ニコチンアミド系cocrystalの水への溶解機構 (鈴鹿高専) (正)○船越邦夫・今永千晶・ (学)大谷祥太	cocrystal dissolution mechanism surface composition	12-g	737

講演
時刻

講演
番号

講演題目／発表者

キーワード

分類
番号

受理
番号

材料・界面

(9:00～10:20) (座長辻佳子)

9:00～ 9:20

F301

エアロゾルプロセスによる多孔性配位高分子の連続合成

(広大院工) (正)○久保優・ (学)斎藤輝晶・ (正)島田学

Porous materials
Nanoparticles
Spray-drying

12-k

177

9:20～ 9:40

F302

水熱合成法によるグラフェン量子ドットの合成と発光特性

(広大院工) (正)○荻崇・ (学)相島佳奈・ (正)奥山喜久夫・ (クラレ) 岩崎秀治

graphene
hydrothermal reaction
luminescent

12-k

434

9:40～ 10:00

F303

可溶性担体を用いた液相ペプチド合成プロセス

(農工大院工) (正)○岡田洋平・ (正)神谷秀博・ (農工大院農) 千葉一裕

soluble support
liquid phase synthesis
peptide

12-k

573

10:00～ 10:20

F304

噴霧熱分解法によるフェノール樹脂からのカーボン微粒子構造体の合成

(Hiroshima U.) (海)○Balgis Ratna・ (正)Ogi Takashi・ (学)Mori Takahiro・ (Noritake) (正)Anilkumar Gopinathan・ (Hiroshima U.) (正)Okuyama Kikuo

zeta potential
phenolic resin
nanostructured carbon particles

12-k

598

10:20～ 10:40

休憩

(10:40～12:00) (座長久保優)

10:40～ 11:00

F306

二峰性分布を有するナノ粒子分散液の高ペクレ数レオロジーシミュレーション

(東大院工) (正)○小池修・ (東大工) 植村文香・ (東大環安セ) (正)辰巳怜・ (東大院工) (正)山口由岐夫

rheology
bimodal dispersion
direct numerical simulation

12-l

802

11:00～ 11:20

F307

撥水性平滑表面での衝突水滴の動的ふるまい-何が撥水挙動のつよさを反映するか？-

(福島高専) (正)車田研一

water-repellent solid surface
dewetting kinematics
interfacial free energy

12-i

360

11:20～ 11:40

F308

自由曲面への造形が可能な3Dプリンター(3DAPAS)の開発

(山形大工) 蜂谷崇・ (金沢大理工) (正)○瀧健太郎・ (山形大理工) 伊藤浩志・古川英光

3D printer
additive manufacturing
UV curable resin

12-h

266

11:40～ 12:00

F309

高分子コンポジット薄膜中のナノ粒子分散・凝集構造と薄膜の熱dewetting挙動との相関

(東北大院工) (正)○久保正樹・ (学)加藤巧・ (海)劉洋・ (富山県大工) (正)杉岡健一・ (東北大院工) (正)塚田隆夫・ (東北大多元研) (正)高見誠一・ (東北大WPI) (正)阿尻雅文

composite thin film
spatial structure of nanoparticles
thermal dewetting

12-h

390

(13:00～14:00) (座長土岐規仁)

13:00～ 13:20

F313

タンパク質リゾチウムにおける結晶化条件とアミロイド形成条件の比較

(岡山大院環生) (正)○島内寿徳・ (岡山大環理) (学)白髭勇季・ (岡山大院環生) (正)木村幸敬

lysozyme
amyloids
crystallization

4-g

779

13:20～ 13:40

F314

リン酸水素2ナトリウム・12水塩融液の過冷却温度に及ぼす実験条件の影響

(早大理工研) (正)渡邉裕之

Supercooling Temperature
Disodium Hydrogen Phosphate
Dodecahydrate Melt

12-g

13:40～ 14:00

F315

融液晶析の1次元非定常簡易解析-結晶成長速度と結晶純度の推算-

(兵庫県大院工) (正)○福井啓介・ (学)藤川琢人・ (正)山本拓司・ (正)前田光治・ (国立環境研) (正)倉持秀敏

melt crystallization
crystal purity
growth rate

12-g

110

(14:00～15:20) (座長小堀深)

14:00～ 14:20

F316

二次電池の充放電現象における高圧力の影響

(兵庫県大工) (正)○前田光治・ (正)新船幸二・ (正)伊藤和宏・ (正)山本拓司・ (正)福井啓介・ (国立環境研) (正)倉持秀敏

High Pressure
Battery
Crystallization

12-g

163

14:20～ 14:40

F317

準安定領域の大きさに対するサンプル溶液体積の影響

(岩手大工) (正)久保田徳昭

Crystallization
Nucleation
Metastable zone width

12-g

210

14:40～ 15:00

F318

結晶多形の生成におよぼす撹拌の影響

(第一三共) (法)○須田有紀子・ (法)有賀篤・ (岩手大工) (正)土岐規仁・ (正)清水健司

polymorph
L-Glutamic acid
reciprocal motion mixing

12-g

212

15:00～ 15:20

F319

SiCl₄亜鉛還元反応でのシリコンウィスカー生成過程の直接観察

(農工大院工) (正)稲澤晋

silicon whiskers
zinc reduction reaction
VLS mechanism

12-m

380

(15:20～16:20) (座長前田光治)

15:20～ 15:40

F320

動的光散乱法を用いた結晶核検出

(第一三共) (法)○須田有紀子・ (法)有賀篤・ (岩手大工) (正)土岐規仁・ (正)清水健司

Dynamic Light Scattering
nucleation
particle

12-g

214

15:40～ 16:00

F321

貧溶媒晶析モデリングと成長速度パラメータの実験的推定

(エーザイ) (法)○小寺孝憲・ (日揮) (法)小針昌則

Anti-solvent crystallization
Numerical simulation
Growth rate

12-g

416

16:00～ 16:20

F322

液-液相分離を利用した結晶多形と結晶外形の同時制御法の提案

(農工大院工) (学)○和田修一・ (正)工藤翔慈・ (正)滝山博志

Crystallization
Polymorphism
Morphology

12-g

470

(16:20～17:20) (座長平沢泉)

16:20～ 16:40

F323

溶液法での共結晶粒子群製造のための4成分相図

(農工大院工) (正)○工藤翔慈・ (正)滝山博志

Cocrystal
crystallization
phase diagram

12-g

546

16:40～ 17:00

F324

エルゴステロール1水和物の析出に及ぼす溶媒組成の影響

(阪市大院工) (正)○五十嵐幸一・ (学)中橋和也・ (正)大嶋寛

crystallization
hydrate
solvent composition

12-g

736

17:00～ 17:20

F325

サリチル酸／ニコチンアミド系cocrystalの水への溶解機構

(鈴鹿高専) (正)○船越邦夫・今永千晶・ (学)大谷祥太

cocrystal
dissolution mechanism
surface composition

12-g

737

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