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化学工学会 第74年会(横浜)

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5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時：2009-03-05 21:04:01

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ているキーワード		キーワード受理件数
MOCVD2件
中間体2件
MOVPE2件
single-walled carbon nanotube1件

受理
番号		講演題目／発表者キーワード受理日時
308COを炭素源とするプラズマCVDによるカーボンナノファイバーの無触媒低温合成
(東工大院理工) ○(正)森 伸介・(正)鈴木 正昭		Plasma-enhanced CVD
Non-catalytic synthesis
Carbon nanofiber
11/25
12:39:14
402コールドウォールおよびホットウォール型熱CVD装置の反応特性
(東海大院工) ○(学)佐藤 晃・(東海大工) 佐野 智紀・西村 敏晴・(東海大院工) (正)秋山 泰伸		CVD
Cold-wall type reactor
Oxide thin film
11/25
16:14:02
489Pulse Injection MOVPEによるInGaNの結晶性向上
(東大工) ○(学)谷 和樹・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭・(東大工) (正)霜垣 幸浩		InGaN
MOVPE
Pulse Injection
11/25
17:54:45
520流動層による単層カーボンナノチューブの合成
(東大院工) ○(正)金 東榮・深井 尋史・(学)杉目 恒志・(学)長谷川 馨・(正)大沢 利男・(正)野田 優		single-walled carbon nanotube
vertically aligned nanotube
fluidized bed
11/25
18:25:48
694Si上InGaAsの微小領域選択MOVPEにおける横方向成長促進と均一性向上
(東大院工) ○(学)出浦 桃子・星井 拓也・竹中 充・高木 信一・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)杉山 正和		MOVPE
InGaAs
heteroepitaxy
11/26
09:47:59
729MOCVD方法によるZnO薄膜作成と中間体
(豊橋技大) ○(正)金 煕濬・(橋技科大) Angelito Velasco		MOCVD
中間体
大きさ
11/26
16:49:01
731MOCVD法によるZnO薄膜製造し、関与する中間体の物理化学的特性
(豊橋技大) ○(正)金 煕濬・Angelito Velasco		MOCVD
中間体
中間体特性
11/26
17:05:48
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