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化学工学会 第73年会

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5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時：2008-03-04 18:49:01

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ているキーワード		キーワード受理件数
MOVPE3件*
CVD2件
Reaction Kinetics1件

受理
番号		講演題目／発表者キーワード受理日時
114チタンテトライソプロポキシドを原料としたチタン酸ストロンチウム薄膜の熱CVD
(東海大院工) ○(学)川島 知至・(東海大工) 佐藤 晃・浅川 拓・鈴木 健太・田中 正恭・(東海大院工) (正)秋山 泰伸		Strontium Titanate
titanium tetraisopropoxide
CVD
11/22
09:26:15
444選択MOVPEプロセスの解析によるInAsP成長の速度論
(東大工) ○(学)王 云鵬・(正)宋 海政・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭・(東大工) (正)霜垣 幸浩		InAsP
MOVPE
Kinetics
11/26
16:01:07
473酸化還元を利用したULSI-Cu配線形成用CVDプロセスの速度論 (2)
(東大院(工)) ○(学)須佐 圭雄・(正)霜垣 幸浩		CVD
Cu oxide
coverage
11/26
16:31:25
494試験構造基板を利用したC5F8/O2/Arプラズマ反応のメカニズム解析(2)
(東大院工) ○(学)関 淳志・(正)霜垣 幸浩		Plasma CVD
Reaction Kinetics
C$5$F$8$
11/26
17:01:24
495薄膜ZMC法によるFeSi2薄膜の結晶相の制御および物性評価
(東工大炭エネ研) ○(学)井上 建・(学)寺澤 真輔・(正)伊原 学		solar cell
Iron disilicide
crystallization
11/26
17:01:43
568窒化ガリウムの選択領域有機金属気相成長における気相拡散の効果
(東大院工) ○(学)塩田 倫也・富田 祐貴・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩・(東大先端研) 中野 義昭		MOVPE
selective area growth
GaN
11/26
18:18:09
608COを炭素源とするマイクロ波プラズマCVDによるカーボンナノチューブの低温合成
(東工大院理工) ○(正)森 伸介・(正)鈴木 正昭		plasma enhanced CVD
microwave plasma
carbon nanotube
11/26
19:06:43
677微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成
(東大院工) ○(学)出浦 桃子・(東大院新領域) 星井 拓也・(東大院工) (正)杉山 正和・中根 了昌・(東工大) 菅原 聡・(東大院工) 竹中 充・高木 信一・(東大先端研) 中野 義昭		MOVPE
III/V compound semiconductor
Heteroepitaxial growth
11/26
20:23:19
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