化学工学会-SCEJ

化学工学会 第72年会

講演プログラム(セッション別)


反応工学 −CVD・ドライプロセス−

R113-R123

最終更新日時:2007-03-18 23:33:23

2006年12月2日〜24日に掲載されていた仮プログラムとは会場名が変更されていますのでご注意ください。

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
R会場 第1日
(13:00〜14:20) (座長 田之上 健一郎)
13:0013:20R113矩形波 交流電圧を用いた静電噴霧熱分解によるナノ粒子
(阪府大) ○(学)黒田 峻(学)横山 奈津子(部)足立 元明
Electrospray
Nanoparticle
Synthesis
5-h600
13:2013:40R114高圧水素雰囲気におけるマグネシウム水素化物の気相合成とその制御因子
(北大CAREM) ○(正)斉田 愛子(北大工) 佐藤 政仁林 治弥(北大CAREM) (正)秋山 友宏
Magnesium
CVD
Metal Hydride
5-h285
13:4014:00R115熱分解炭素CVDにおける気相反応の詳細化学反応速度モデル
(北大エネセン) ○(正)則永 行庸三枝 直路(正)林 潤一郎(カールスルーエ大) Deutschmann Olaf
carbon
CVD
chemical kinetics
5-h657
14:0014:20R116チタン酸ストロンチウム薄膜の熱CVD
(東海大院) ○(正)秋山 泰伸村上 博史下中 克也
CVD
Strontium Titanate
Thin film
5-h133
(14:20〜15:40) (座長 秋山 泰伸)
14:2014:40R117CVD法におけるTiN膜製造過程におよぼす塩酸の吸着阻害の影響
(山口大工) ○(正)田之上 健一郎小田 慎一郎山内 隆中村 太郎(正)西村 龍夫(タンガロイ) 高橋 浩司
TiN coating
gas phase reaction
retarding effect
5-h804
14:4015:00R118LP-CVD-HTOプロセスの表面積/反応空間比
(富士電機アドバンストテクノロジー) ○(正)酒井 茂荻野 正明清水 了典(東大院) (正)霜垣 幸浩
CVD
HTO
5-h85
15:0015:20R119Si-CVD炉表面析出の流れ反応解析
(FAT) ○(正)松本 悟史(東大) (正)霜垣 幸浩(FAT) 清水 了典(正)酒井 茂荻野 正明
Si-CVD
CFDcomputational fluid dynamics
CFD
5-h180
15:2015:40R120GaAs-MOVPEにおける表面吸着層のin situ観察および解析
(東大院工) ○(学)出浦 桃子(正)杉山 正和中野 貴之(東大先端研) 中野 義昭(東大院工) (正)霜垣 幸浩
MOVPE
GaAs
surface adsorption layer
5-h579
(15:40〜16:40) (座長 則永 行庸)
15:4016:00R121選択成長を利用したGaAs-MOVPEプロセスの表面反応機構解析
(東大工) ○(正)宋 海政(正)杉山 正和(東大先端研) 中野 義昭(東大工) (正)霜垣 幸浩
GaAs
MOVPE
反応機構解析
5-h606
16:0016:20R122InGaAsP/InP系有機金属気相成長における表面マイグレーション長の成長条件依存性
(東大院工) ○(学)塩田 倫也(学)鬼塚 隆祐王 雲鵬(正)杉山 正和(正)霜垣 幸浩(東大先端研) 中野 義昭
crystal growth
metal-organic vapor phase epitaxy
selective area growth
5-h737
16:2016:40R123InGaAsP系選択MOVPEにおけるリアクタースケール分布
(東大院工) ○(学)鬼塚 隆祐(学)塩田 倫也(正)宋 海政(正)杉山 正和(正)霜垣 幸浩(東大先端研) 中野 義昭
MOVPE
crystal growth
selective area growth
5-h786

講演プログラム
化学工学会 第72年会

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Most recent update: 2007-03-18 23:33:23
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