化学工学会-SCEJ

化学工学会 第72年会

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5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時：2007-03-03 15:44:01

この分類でよく使われ
ているキーワード		キーワード受理件数
CVD4件*
MOVPE3件*
crystal growth2件
GaAs2件
selective area growth2件
Synthesis1件

受理
番号		講演題目／発表者キーワード受理日時
85LP-CVD-HTOプロセスの表面積／反応空間比
(富士電機アドバンストテクノロジー) ○(正)酒井 茂・荻野 正明・清水 了典・(東大院) (正)霜垣 幸浩		CVD
HTO
11/22
16:01:02
133チタン酸ストロンチウム薄膜の熱CVD
(東海大院) ○(正)秋山 泰伸・村上 博史・下中 克也		CVD
Strontium Titanate
Thin film
11/24
11:15:16
180Si-CVD炉表面析出の流れ反応解析
(FAT) ○(正)松本 悟史・(東大) (正)霜垣 幸浩・(FAT) 清水 了典・(正)酒井 茂・荻野 正明		Si-CVD
CFDcomputational fluid dynamics
CFD
11/24
16:16:51
285高圧水素雰囲気におけるマグネシウム水素化物の気相合成とその制御因子
(北大CAREM) ○(正)斉田 愛子・(北大工) 佐藤 政仁・林 治弥・(北大CAREM) (正)秋山 友宏		Magnesium
CVD
Metal Hydride
11/26
12:08:47
579GaAs-MOVPEにおける表面吸着層のin situ観察および解析
(東大院工) ○(学)出浦 桃子・(正)杉山 正和・中野 貴之・(東大先端研) 中野 義昭・(東大院工) (正)霜垣 幸浩		MOVPE
GaAs
surface adsorption layer
11/27
17:21:38
600矩形波 交流電圧を用いた静電噴霧熱分解によるナノ粒子
(阪府大) ○(学)黒田 峻・(学)横山 奈津子・(部)足立 元明		Electrospray
Nanoparticle
Synthesis
11/27
17:44:11
606選択成長を利用したGaAs-MOVPEプロセスの表面反応機構解析
(東大工) ○(正)宋 海政・(正)杉山 正和・(東大先端研) 中野 義昭・(東大工) (正)霜垣 幸浩		GaAs
MOVPE
反応機構解析
11/27
17:51:30
657熱分解炭素CVDにおける気相反応の詳細化学反応速度モデル
(北大エネセン) ○(正)則永 行庸・三枝 直路・(正)林 潤一郎・(カールスルーエ大) Deutschmann Olaf		carbon
CVD
chemical kinetics
11/27
18:45:45
737InGaAsP/InP系有機金属気相成長における表面マイグレーション長の成長条件依存性
(東大院工) ○(学)塩田 倫也・(学)鬼塚 隆祐・王 雲鵬・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩・(東大先端研) 中野 義昭		crystal growth
metal-organic vapor phase epitaxy
selective area growth
11/27
20:19:58
786InGaAsP系選択MOVPEにおけるリアクタースケール分布
(東大院工) ○(学)鬼塚 隆祐・(学)塩田 倫也・(正)宋 海政・(正)杉山 正和・(正)霜垣 幸浩・(東大先端研) 中野 義昭		MOVPE
crystal growth
selective area growth
11/27
21:36:06
804CVD法におけるTiN膜製造過程におよぼす塩酸の吸着阻害の影響
(山口大工) ○(正)田之上 健一郎・小田 慎一郎・山内 隆・中村 太郎・(正)西村 龍夫・(タンガロイ) 高橋 浩司		TiN coating
gas phase reaction
retarding effect
11/27
21:54:05
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