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CVD反応分科会 研究会開催のお知らせ


CVD反応分科会主催第25回シンポジウム
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「原子層堆積/原子層エッチングの基礎と応用」

開催趣旨
 エレクトロニクスを中心に原子層堆積(ALD)法,原子層エッチング(ALEt)法の研究開発が広く進められています。これは反応性ガスが表面に単層吸着して自己停止し,それに次の反応を起こさせる操作を加えることによって原子1層ごとに堆積や除去を行う方法です。極めて平坦な層を精密制御して取り扱えることから,膜厚,膜質,段差被覆性,選択性などに関して極めて有利であると考えられています。そこで今回は,ALDとALEtについて研究を進めている研究者に最先端の内容と共に,原子層成長・エッチング技術の基礎に立ちかえり,応用までを見据えた内容をご紹介頂くことと致しました。本シンポジウムが,ALDとALEtに対する理解を深める機会になれば幸いです。多数のご参加をお待ち申し上げております。 多数のご参加をお待ち申し上げております。

主 催  : 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催  : CVD研究会,Cat-CVD研究会
日 時  : 2017年2月1日(水) 13:00〜17:45
      (終了後,懇親会(有料)を開催します。)
会 場  : 東京大学 本郷キャンパス 工学部4号館3階41講義室(417号室)
参加費(課税・税込):化学工学会CVD反応分科会法人会員(無料),化学工学会CVD反応分科会個人会員(2,000円),化学工学会反応工学部会会員(3,000円),化学工学会会員(4,000 円),CVD研究会会員・Cat-CVD研究会会員(4,000 円),非会員(10,000 円),学生(無料)

申込方法 : 「Web参加登録ページ」 より必要事項を記入してお申込み下さい。
上記サイトにアクセスできない場合には,(1)氏名,(2)勤務先(所属),(3)連絡先E-mail,(4)参加資格(所属学会等),(5)懇親会出欠を明記の上, 電子メールにてcvd@scej.orgまでお申込み下さい。
申込締切 : 1月27日(金) ただし,定員(80名)になり次第締め切ります。

プログラム
12:30      参加受付開始
13:00〜13:05 開会あいさつ
13:05〜14:05 「ALD/ALEtの基本原理と課題・展望」
            霜垣 幸浩 氏(東京大学)
14:05〜14:35 「ALD反応炉内での原子制御型ドット堆積を目指したスプレー法の開発」
            佐藤 宗英 氏(物質・材料研究機構)
14:35〜14:50 休憩
14:50〜15:30 「SiO2微細加工に対するQuasi-ALEアプローチの有用性」
            田端 雅弘 氏(東京エレクトロン宮城)
15:30〜16:10 「プラズマと赤外光照射を用いた窒化膜の原子層レベルエッチング」
            篠田 和典 氏(日立製作所)
16:10〜16:25 休憩
16:25〜17:05 「既存ALD材料の組合せによる高性能ガスバリア膜」
            座間 秀昭 氏(アルバック)
17:05〜17:45 「室温原子層堆積法の開発とその応用」
            廣瀬 文彦 氏(山形大学)
18:00〜19:30 懇親会(会場:東京大学工学部4号館3階44講義室(401B号室))
            参加費:一般:2,000円,学生:1,000円

問い合わせ先
 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 cvd@scej.org

シンポジウムオーガナイザー
 羽深 等 (横浜国立大学)
 三浦 豊(株式会社アルバック)
 川上 雅人(東京エレクトロン株式会社)

 
会場案内図:http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_05_j.html
アクセスマップ:http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/map01_02_j.html
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