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CVD反応分科会 研究会開催のお知らせ


CVD反応分科会主催第4回講習会 開催延期
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上記CVD反応分科会講習会ですが、新型コロナウィルスの感染が日々拡がっております状況を鑑み,今回の講習会は延期させていただくことといたしました。 屋内にて長時間の講習会となることを踏まえ,感染防止の観点から慎重に検討いたしました結果,このような判断に至りました。 誠に申し訳ございませんが,ご理解いただければ幸いに存じます。また,直前のご連絡になりましたことをお詫び申し上げます。 本講習会は,今後の感染拡大状況を検討しつつ,本年5月以降に改めて開催する予定です。
日程が決まり次第,ご案内させていただきますので,その節は是非ご参加ください。

既に参加申込をされた皆様へ
この度は,上記CVD反応分科会講習会へのお申し込みを有り難うございました。 このような状況ですので,残念ながら今回のお申込みはすべてキャンセルとさせて頂きます。 後日開催する際には,改めてお申込みいただきますようお願い致します。

当分科会の活動に関しまして,今後共ご協力を賜りますようお願い申し上げます。

CVD反応分科会 事務局
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「CVD・ALDプロセスの基礎」

開催趣旨
 当分科会では,最先端の研究成果を共有し議論するシンポジウムに加えて,学生や若手社員など初学者向けにCVDプロセスの基礎を体系的に学習できる講習会を開催しています。今回は,CVDに加えて,産業界からの要望の多いALDや,計算科学の進展により強力なツールとなってきた量子化学計算に関する講習も含めております。これからCVDを始める方も,経験を積まれ更なる知識の習得を目指す方も奮ってご参加ください。

主 催  : 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会,
      CVD研究会,Cat-CVD研究会,TIAかけはし,NIMS
日 時  : 2020年2月28日(金) 10:00〜18:00 (開催延期)
      (終了後,懇親会(有料)を開催します。)
会 場  : 東京大学 本郷キャンパス 工学部11号館1階 HASEKO-KUMA-HALL
参加費(課税・税込):化学工学会CVD反応分科会法人賛助会員(1口につき1人無料,2人目以降は10,000円)、化学工学会CVD反応分科会個人会員(10,000円)、化学工学会会員(15,000円)、CVD研究会会員(15,000円)、Cat-CVD研究会会員(15,000円)、非会員(20,000円)、学生(5,000円)

申込方法 :下記のWebサイト
  「Web参加登録ページ」
より必要事項を記入してお申込み下さい。
上記サイトにアクセスできない場合には,(1)氏名,(2)所属,(3)連絡先E-mail,(4)参加資格(所属学会等),(5)懇親会出欠を明記の上, 電子メールにてcvd@scej.orgまでお申込み下さい。
申込締切 : 2月21日(金)

プログラム
9:30〜10:00 受付
10:00〜10:05 開会挨拶 分科会代表 河瀬元明
10:05〜11:45 「反応速度論とCVDプロセスの反応速度解析」
        河瀬 元明 氏(京都大学)
           CVD 法の概要,CVD プロセスにおける輸送現象と化学反応のモデル化,
           反応速度論,反応解析,流れと拡散

11:45〜12:15 「CVD反応器の形状と操作が製膜速度分布・膜質に及ぼす影響」
        羽深 等 氏(横浜国立大学)
           CVD 装置内の熱・流れと反応(観察・計算),種々装置の計算・解析例,
           基本的な操作と構造の意味

12:15〜13:30 休憩
13:30〜14:00 「量産対応CVD装置の概要とシミュレーションを活用した設計・
         開発」
        川上 雅人 氏(東京エレクトロンテクノロジー
                         ソリューションズ(株))
           量産対応 CVD 装置,反応シミュレーション,枚葉式・複数枚バッチ式,
           流れ解析

14:00〜15:00 「CVDにおける素反応の量子化学計算の方法と
         素反応シミュレーションの実例」
        松木 亮 氏(産業技術総合研究所)
           量子化学計算,素反応,遷移状態理論,素反応シミュレーション
15:00〜16:00 「MOVPEによる化合物半導体成長における製膜速度分布の制御」
        杉山 正和 氏(東京大学)
           化合物半導体エピタキシャル成長のシミュレーション,
           選択成長とリアクタスケール分布のカップリング

16:00〜16:20 休憩
16:20〜18:00 「ALDの基礎と応用用途」
        霜垣 幸浩 氏(東京大学)
           速度論,反応ケミストリ,吸脱着,温度依存性,表面反応機構
18:00〜18:30 「CVD・ALD原料の特性と原料選択の指針」
        町田 英明 氏(気相成長(株))
           蒸気圧,反応性,揮発性,供給方法,輸送
18:40〜20:00 懇親会(参加費:一般:2,000円,学生:1,000円)             

問い合わせ先
 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 cvd@scej.org

オーガナイザー
 河瀬 元明(京都大学)
 百瀬 健(東京大学)

 
会場案内図:https://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_12_j.html
アクセスマップ:https://www.u-tokyo.ac.jp/ja/about/campus-guide/map01_02.html
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