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CVD反応分科会 研究会開催のお知らせ


CVD反応分科会主催第27回シンポジウム
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「クリーンなCVD/ALDを実現する技術の考え方と最新動向」

開催趣旨
 化学気相堆積(CVD)法および原子層堆積(ALD)法で製造する薄膜には,高純度・低欠陥であることが求められます.それを実現するためには,製膜装置内の環境と基板表面が清浄であることが大切です.製膜装置内の様々な部品,例えば,サセプタや反応容器壁などに付着・堆積した膜や粉体を,取り除くことが求められます.基板の表面には様々な微細構造が形成され,そこに残留物質があると膜質に影響が表れます.用いる装置,形成する膜と基板の特性に合致した対策があれば,理想的な製膜が可能です.
 本シンポジウムでは,製膜の現実的重要課題として製膜装置の清浄化とクリーニング,基板表面の取り扱いを課題とし,総論(横糸)として清浄化の視点から装置,ガスと表面を論じた後に,各論(縦糸)として個別の課題と対策を検討します.多数のご参加をお待ちしております.

主 催  : 公益社団法人 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会
共 催  : CVD研究会,Cat-CVD研究会
日 時  : 2018年2月15日(木) 13:00〜18:10
      (終了後,懇親会(有料)を開催します。)
会 場  : 東京大学 本郷キャンパス 工学部4号館3階42講義室(419号室)
参加費(課税・税込):化学工学会CVD反応分科会法人会員(無料),化学工学会CVD反応分科会個人会員(2,000円),化学工学会反応工学部会会員(3,000円),化学工学会会員(4,000 円),CVD研究会会員(4,000 円),Cat-CVD研究会会員(4,000 円),非会員(10,000 円),学生(無料)

申込方法 : 「Web参加登録ページ」
より必要事項を記入してお申込み下さい。
上記サイトにアクセスできない場合には,(1)氏名,(2)勤務先(所属),(3)連絡先E-mail,(4)参加資格(所属学会等),(5)懇親会出欠を明記の上, 電子メールにてcvd@scej.orgまでお申込み下さい。
申込締切 : 2月8日(木) ただし,定員(80名)になり次第締め切ります。

プログラム
12:30     参加受付開始
13:00〜13:05 開会の挨拶
13:05〜13:55 (基調講演)「清浄化を軸にして眺める製造装置の現状と展望」
            立花 光博 氏(東京エレクトロン
                   テクノロジーソリューションズ(株))
13:55〜14:45 (基調講演)「半導体製造装置用クリーニングガスの現状と展望」
            八尾 章史 氏(セントラル硝子(株))
14:45〜15:00 休憩
15:00〜15:50 (基調講演)「ULSI製造における製膜に及ぼす基板表面の影響」
            佐藤 伸良 氏(東芝メモリ(株))
15:50〜16:30 「GaN-MOCVD装置のクリーニング技術」
            山口 晃 氏(大陽日酸(株))
16:30〜16:45 休憩
16:45〜17:25 「炭化珪素CVD装置クリーニング法―実現の課題と展望」
            羽深 等 氏(横浜国立大学)
17:25〜18:05 「微細化に伴う半導体ウェット洗浄の課題と展望」
            佐藤 雅伸 氏((株)SCREEN
                   セミコンダクターソリューションズ)
18:05〜18:10 閉会の挨拶
18:10〜19:40 懇親会(会場:東京大学工学部4号館3階43講義室(401A号室))
            参加費:一般:2,000円,学生:1,000円

問い合わせ先
 化学工学会反応工学部会CVD反応分科会 cvd@scej.org

シンポジウムオーガナイザー
 島田 学 (広島大学)
 羽深 等 (横浜国立大学)
 齊藤 丈靖(大阪府立大学)

 
会場案内図:http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_05_j.html
アクセスマップ:http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/map01_02_j.html
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